چندی پیش در ترنجی خواندید که سامسونگ، تولید انبوه تراشههای 18 نانومتری DRAM را در سال 2016 شروع خواهد کرد. امروز این شرکت، رسما اعلام کرده است که سامسونگ، تولید انبوه این تراشهها را شروع کرده است. سامسونگ، اولین شرکتی است که از فناوریهای جدید برای تولید حافظه استفاده کرده است. این غول کرهای، تولید انبوه تراشههای DRAM چهار گیگابایت را شروع کرده است که مبتنی بر رابط HBM2 هستند. استفاده از این رابط، به بالابردن عملکرد سیستمهای محاسباتی، گیمینگ و شبکه کمک خواهد کرد. در ادامه همراه ترنجی باشید.
تراشههای DRAM مبتنی بر HBM2، میتوانند دادهها را با سرعت 256 گیگابایت بر ثانیه غربال کنند که هفت برابر، سریعتر از نسل فعلی تراشههای DDR5 DRAM است. سامسونگ گفته است که این شرکت، این تراشهها را به تولیدکنندگان سرور خواهد فروخت.
همچنین این شرکت، این تراشههای 20 نانومتری را به انویدیا و ایامدی خواهد فروخت که به این شرکتها در ساخت کارتهای گرافیک با عملکرد بالا و مصرف برق پایینتر کمک خواهد کرد. سامسونگ درحال حاضر، مشغول ساخت ماژولهای چهار گیگابایتی با چهار لایه از هستههای هشت گیگابیتی است اما باید در آیندهای نزدیک، منتظر ساخت ماژولهای هشت گیگابایتی با هشت لایه نیز باشیم.
لینک کوتاه
برای امتیاز دهی به این مطلب، لطفا وارد شوید: برای ورود کلیک کنید
